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采用水浴法制备了不同掺杂浓度（Al 3＋和Zn2＋物质的量比为0、1%、3%和5%）的ZnO：Al纳米柱阵列,通过扫描电子显微镜（SEM）、X-射线衍射仪（XRD）、X射线能谱仪（EDS）等手段对样品进行了表征。测试结果表明：制备的纳米柱阵列结晶性好、具有c轴取向生长特性,能谱显示Al元素成功掺入ZnO纳米柱阵列中。通过紫外-可见吸收光谱和表面电阻测试发现：掺杂后,纳米柱阵列光透过率提高且表面方块电阻下降。将ZnO：Al纳米柱阵列作为电子传输层应用于钙钛矿太阳能电池器件中,在低掺杂浓度（1%）时得到最佳器