【摘 要】
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本文用化学择优腐蚀显示、红外吸收光谱测量以及透射电子显微镜观察等方法,研究了原生无位错直拉(CZ)硅单晶中的漩涡缺陷.结果表明原生硅中存在有Ⅰ、Ⅱ两类漩涡缺陷,Ⅰ型漩
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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本文用化学择优腐蚀显示、红外吸收光谱测量以及透射电子显微镜观察等方法,研究了原生无位错直拉(CZ)硅单晶中的漩涡缺陷.结果表明原生硅中存在有Ⅰ、Ⅱ两类漩涡缺陷,Ⅰ型漩涡缺陷是位错环、位错环团及堆垛层错等;Ⅱ型漩涡缺陷是一种沉淀物.实验表明这种沉淀物的结构是板片状α-方英石(SiO_2).在原生CZ硅中还观察到一种尺寸小于100埃的高密度(约10~(13)-10~(14)/厘米~3)Ⅲ型缺陷.
In this paper, the vortex defects in primary dislocation-free Czochralski (CZ) single crystal have been studied by means of chemical preferential etching, infrared absorption spectroscopy and transmission electron microscopy. The results show that there are two types Swirl vortex and swirl vortex Ⅰ are dislocation loops, dislocation loops and stacking faults, etc .; swirl vortex Ⅱ is a kind of sediment.The experiment shows that the structure of this precipitate is plate-like α-cristobalite (SiO 2 In the native CZ silicon, a high density (~10 ~ (13) -10 ~ (14) / cm ~ 3) type III defects less than 100 angstroms in size were also observed.
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