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回顾了近年来CIGS薄膜太阳能电池无镉缓冲层的研究进展;着重介绍了In2S3,ZnS,Zn1-xMgxO三种可替代CdS缓冲层材料的常用制备方法及相关特性,并且对应给出了每种材料和方法获得的电池组件效率。展望了无镉缓冲层的发展前景,分析了化学水浴、原子层沉积、溅射三种缓冲层沉积技术各自在大规模工业化应用中的优劣势。认为溅射沉积技术是现阶段最理想的工业化制备技术,同时指出了无镉缓冲层在大规模工业化应用中亟需解决的问题。