【摘 要】
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<正> 本文报道了对新型锑酸镉 Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷进行热分析、化学分析和高温 X 射线衍射分析的实验结果,并对它的合成过程和相变进行了系统的分析讨论。结果表明,在以 Cd
【机 构】
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华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系
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<正> 本文报道了对新型锑酸镉 Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷进行热分析、化学分析和高温 X 射线衍射分析的实验结果,并对它的合成过程和相变进行了系统的分析讨论。结果表明,在以 CdO 和 Sb_2O_5为原料合成 Cd_6Sb_2O_(10)的过程中,温度效应比较显著,反应从1000℃开始,到1200℃结束;Cd_6Sb_2O_(10)在240℃左右发生—结构相变,高温相具有较高的对称性,此相变是可逆的,而且与 Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷在中温区的电导特性密切相关。
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