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本文首次提出了新型环形火山口式边缘阴极发射体结构。采用国内现有的半导体工艺制备了这种结构的阴极发射体和二极管阵列。
环形火山口式硅边缘阴极发射体特性研究
【摘 要】
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本文首次提出了新型环形火山口式边缘阴极发射体结构。采用国内现有的半导体工艺制备了这种结构的阴极发射体和二极管阵列。
【机 构】
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东南大学电子学研究所!南京,南京电子器件研究所!南京
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年11期
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