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用改进的种子法合成SiO2微球. 微球生长过程中连续缓慢添加正硅酸乙酯，使用动态光散射法实时监控微球粒径的增长过程，调节正硅酸乙酯的添加，实现对粒径的精确控制. 为制备禁带位置位于1000 nm 的光子晶体，合成粒径为446 nm的SiO2微球，微球粒径在4 h内从193 nm 增长到446 nm，远远快于传统种子法，微球粒径与目标粒径偏差为±5 nm. 制得的SiO2微球被组装为光子晶体，其禁带位置恰好位于1000 nm.