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通过物理和化学的理论分析及实验研究,阐述了从简单无机盐溶液中采用电化学方法在SnO2导电玻璃等衬底材料上沉积原子化学计量比接近1∶1的GaAs薄膜过程中所受的各种工艺条件制约和影响因素,从而获得最佳的沉积工艺条件.该研究方法有助于用电化学方法沉积化合物半导体薄膜材料及薄膜性能改善,为规模化生产的工艺条件设计和薄膜的应用提供了理论根据.