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提出变偏压的导纳蚵用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用,对Ge/Si量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试,探测到了5个空穴的填充过程,其中2个填入类s态的基态,束缚能约432meV,3个填入类p态的第一激发态,束缚能约338meVGe量子点获1个空位所需要克服的库仑势能约为30meV