3D晶体管

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英特尔公司创造出了速度更快、能效更高的处理器。为了在硅芯片上挤入更多的元件,英特尔公司已经开始大规模地生产基于3D晶体管的处理器。这一举动不仅可以延长摩尔定律(根据摩尔定律,每块芯片上的晶体管数量每两年就会翻一番)的寿命,而且还有助于大幅提升处理器的能效和运行速度。传统芯片中的电流是由栅极所产生的电场控制的,栅极下方的导电沟道宽而薄,嵌在硅基片内。而在3D晶体管中,这些沟道都立了起来,突出于芯片表面。因而,沟道的顶部和两侧都与栅极相接,使其基本不会受到 Intel Corporation has created faster, more efficient processors. To squeeze more components into the silicon chip, Intel Corp. has begun mass-producing its 3D transistor-based processors. This move not only extends the life expectancy of Moore’s Law (which, according to Moore’s Law, doubles every two years on the number of transistors on a chip), but also helps to dramatically increase the energy efficiency and speed of the processor. The current in the conventional chip is controlled by the electric field generated by the gate. The conductive channel under the gate is wide and thin, and embedded in the silicon substrate. In the 3D transistor, these channels are upright, protruding from the chip surface. Thus, the top and both sides of the channel are connected to the gate so that they are not substantially affected
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