化合物半导体纳米材料电子结构的量子调控理论计算研究

来源 :影像科学与光化学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liwang0113

【摘要】

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化合物半导体纳米材料具有独特的结构特征和电子特征,如高表面体积比和尺寸效应等,因而成为纳米技术应用的基础.随着计算材料科学的快速发展,高级的电子结构计算理论能够解释

【作者】

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方党旗张瑞勤张晓宏

【机构】

：

中国科学院理化技术研究所

【出处】

：

影像科学与光化学

【发表日期】

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2011年4期

【关键词】

：

半导体纳米材料计算材料科学电子结构化合物调控理论量子密度泛函理论表面吸附

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化合物半导体纳米材料具有独特的结构特征和电子特征,如高表面体积比和尺寸效应等,因而成为纳米技术应用的基础.随着计算材料科学的快速发展,高级的电子结构计算理论能够解释和指导实验工作.本论文利用基于密度泛函理论的程序SIESTA和VASP，研究了表面吸附、缺陷、掺杂和外电场对化合物半导体纳米材料电子结构的调控作用及机理，得到以下理论结果：

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