硼掺杂对a-Si薄膜电导率及太阳电池效率的影响

来源 :光电子．激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wa1gwe52rg15

【摘要】

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对等离子增强化学气相沉积技术(PECVD)低温制备的非晶硅(a-Si)薄膜的电导率随B掺杂浓度的变化规律进行了研究.结果表明:当B2H6/SiH4由0.6 %增加到0.8 %时,a-Si薄膜的暗电导率

【作者】

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林列蔡宏琨张德贤孙云郝延明

【机构】

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南开大学信息技术科学学院,天津师范大学物理系

【出处】

：

光电子．激光

【发表日期】

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2003年11期

【关键词】

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硼掺杂非晶硅薄膜电导率太阳电池光电转换效率 Amorphous filmsAmorphous siliconSolar cells

【基金项目】

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国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划)

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对等离子增强化学气相沉积技术(PECVD)低温制备的非晶硅(a-Si)薄膜的电导率随B掺杂浓度的变化规律进行了研究.结果表明:当B2H6/SiH4由0.6 %增加到0.8 %时,a-Si薄膜的暗电导率由10-5(Ω*cm)-1急剧增加到10-1(Ω*cm)-1;进一步增加B2H6/SiH4时,暗电导率增加缓慢;当B2H6/SiH4大于1.0 %时,暗电导率急剧下降.对B2H6/SiH4为1.0 %及1.2 %的P层材料制备的太阳电池的研究结果表明:采用B2H6/SiH4为1.2 %的光电转换效率优于1.0

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