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中科院上海微系统所卢光远和吴天如等科研人员采用化学气相沉积（CVD）方法，成功在铜镍合金衬底上制备出单层高质量六方氮化硼（h—BN）单晶畴，单晶面积较之前文献报道高出约两个数量级。专家认为，该项研究进展为研发晶圆级h—BN、h—BN／石墨烯异质结和超结构奠定了重要实验基础。相关研究成果发表于《自然一通讯》期刊上。