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介绍了基于共享Buffer技术的SOI（绝缘体上硅）LIGBT和PLDMOS,相对于传统工艺可以节约2层光刻板和2步工艺流程。主要通过研究在器件漏区的缓冲层特性,对器件特性影响明显。通过实验和仿真结果对比,共享Buffer技术的器件通过工艺和版图优化后能达到原有器件的表现性能。
基于共享Buffer的LIGBT和PLDMOS器件研究
【摘 要】
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介绍了基于共享Buffer技术的SOI（绝缘体上硅）LIGBT和PLDMOS,相对于传统工艺可以节约2层光刻板和2步工艺流程。主要通过研究在器件漏区的缓冲层特性,对器件特性影响明显。通过实
【机 构】
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四川长虹电器股份有限公司
【出 处】
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电子与封装
【发表日期】
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2018年2期
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