【摘 要】
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采用射频磁控溅射法在LaNiO3（100）/SiO2/Si（100）衬底上制备了0.65Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0.35PbTiO3（PMN-PT）铁电薄膜,采用两步法快速退火法对制备的PMN-0.35PT薄膜进行了不同工艺的后处理
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采用射频磁控溅射法在LaNiO3（100）/SiO2/Si（100）衬底上制备了0.65Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0.35PbTiO3（PMN-PT）铁电薄膜,采用两步法快速退火法对制备的PMN-0.35PT薄膜进行了不同工艺的后处理。实验结果表明,在LaNiO3上溅射的PMN-PT薄膜呈现高度的（100）取向。对PMN-PT薄膜测试表明,在合适的两步法快速退火处理时,可以获得表面平整颗粒饱满,且铁电性能很好的薄膜,其剩余极化强度（2Pr）可以达到24μC/cm2,平均粗糙度为7.4nm,在室温1
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