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按照实际制作器件的工艺条件和方法，采用不同的Cu引线框架氧化时间，制备了多组无芯片的封装器件，并打磨Cu／EMC界面的样品。然后对样品进行了剪切实验和界面微观结构观察。剪切实验发现，适当的Cu预氧化时间能有效提高Cu／EMC界面强度。Cu／EMC界面的SEM照片显示。150rain的氧化时间使界面产生了大量不同形状的氧化物颗粒，断裂沿Cu氧化层或EMC过渡层发生，导致界面剪切强度离散。考虑到Cu氧化对Cu／EMC界面的影响及工艺成本，氧化时间范围为165℃下8～12min。