论文部分内容阅读
采用电化学双槽腐蚀法在P型单晶硅片表面生长多孔硅膜。通过扫描电镜(SEM)、能量色谱(EDS)对多孔硅结构参数以及多孔硅含能材料性能进行了分析,同时进行了爆炸性能测试。结果表明:采用电化学腐蚀法可以制备出20nm左右孔径的多孔硅膜;通过原位装药技术形成的多孔硅含能材料在开放空间以及热能、机械撞击、电能、激光能量刺激下发生猛烈爆炸作用。