【摘 要】
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以商品单质硅为原料,利用金属辅助化学刻蚀方法结合化学镀方法制备了三维多孔硅/银复合负极材料,采用X射线粉末衍射仪、场发射扫描电镜及比表面与孔隙度分析仪对其组成、结构
【基金项目】
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宇航微波电缆电磁屏蔽用镀银芳纶纤维(D.51-0110-14-002)
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以商品单质硅为原料,利用金属辅助化学刻蚀方法结合化学镀方法制备了三维多孔硅/银复合负极材料,采用X射线粉末衍射仪、场发射扫描电镜及比表面与孔隙度分析仪对其组成、结构、比表面积及孔隙率进行研究,随后对其电化学性能进行研究.结果表明,三维多孔硅呈现狭缝型的介孔,平均孔径宽度为12.5 nm,比表面积达到6.083 m2/g.三维多孔硅/银复合材料在420 mA/g条件下恒流充放电,首循环放电比容量2822 mA.h/g,首循环库仑效率87.8%,经过50个循环后容量仍保持有832 mA·h/g.研究
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