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开发了CMOS图像传感器的光导通路工艺。通过使用优化的沟槽刻蚀工艺和光导通路线宽,在保持暗电流不变的情况下大幅提升了像素单元的灵敏度。研究发现,光导通路线宽直接影响暗电流的大小,线宽过大造成的金属玷污直接影响像素单元的暗电流。综合考虑灵敏度、暗电流和工艺偏差,光导通路线宽设置为4μm,其在保证暗电流不增加的情况下提升30%左右的灵敏度。