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描述了一种高性能CMOS线阵288×4读出电路的设计。该读出电路是一个大规模混合信号电路，集成了时间延迟积分以提高信噪比，实现了缺陷像素剔除以提高阵列的可靠性。其他特征包括积分时间可调，多级增益，双向扫描，超采样，以及内建电测试。该芯片采用1．2μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺。测量得到的总功耗约为24mW，工作电压5V。