【摘 要】
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GaAs的选择生长是一项有前途的技术,它有希望实现制造电子器件和光电器件的单片集成,因此受到了人们更多的注意.这种GaAs的选择生长就是用MOVPE法在表面涂有SiO_2或其它绝缘
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GaAs的选择生长是一项有前途的技术,它有希望实现制造电子器件和光电器件的单片集成,因此受到了人们更多的注意.这种GaAs的选择生长就是用MOVPE法在表面涂有SiO_2或其它绝缘膜衬底上进行的.常压MOVPE法生长的GaAs外延层厚度很不均匀,不能用来制作器件.而低压MOVPE法生长的GaAs外延展的厚度却很均匀,纯度也很高.
GaAs selective growth is a promising technology, it is expected to achieve manufacturing monolithic integration of electronic devices and optoelectronic devices, so get more attention. The growth of this kind of GaAs is MOVPE method is coated on the surface SiO 2 or other insulating film substrate.The thickness of GaAs epitaxial layer grown by atmospheric pressure MOVPE method is very uneven and can not be used to fabricate the device.The thickness of epitaxial GaAs grown by low voltage MOVPE method is very uniform and the purity is very high .
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