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本文基于密度泛函理论，采用第一性原理赝势法，计算得到了立方相二元氮化物γ-A3N4（A：C、Si、Ge、Sn（Group IVB））的晶格参数，体系总能及原胞体积、键长、密度、体模量，并分析了带隙、静介电函数ε（0）、光学吸收系数等性质，并在计算的基础上将结果与实验作了详细比较，两者符合的非常好。本文的研究表明对γ-A3N（A：C、Si、Ge、Sn（Group IVB））结构，计算体模量时用LDA要优于GGA，但GGA较LDA给出更精确的能量和结构。另外，第一性原理可以准确地计算γ-C3N4、γ-Si3N