【摘 要】
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用a -Si∶H薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜 ,其晶化温度、晶粒尺寸和电性能与薄膜的初始结构有密切关系 ,而a -Si∶H薄膜的初始结构依赖于沉积条件。用PCVD方法高速沉积的a -S
【机 构】
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用a -Si∶H薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜 ,其晶化温度、晶粒尺寸和电性能与薄膜的初始结构有密切关系 ,而a -Si∶H薄膜的初始结构依赖于沉积条件。用PCVD方法高速沉积的a -Si∶H薄膜 ,经 550℃的低温退火 ,可以制备平均晶粒尺寸为几百nm ,最大晶粒尺寸为 2 μm ,电导率为 1.6 2 (Ω·cm ) - 1 的优质多晶硅薄膜。
The crystallization temperature, the grain size and the electrical properties of a-Si: H thin films annealed by annealing are closely related to the initial structure of the films. However, the initial structure of a-Si: H films depends on the deposition conditions. High-speed deposition of a-Si: H thin films by PCVD can be prepared by annealing at 550 ℃ with an average grain size of several hundreds nm, a maximum grain size of 2 μm and a conductivity of 1.6 2 Ω · cm- 1 high-quality polysilicon film.
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