退火对UHVCVD外延生长锗硅碳三元合金的影响

来源 :真空科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xxzxzzm

【摘要】

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采用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)研究了超高真空化学气相沉积外延生长的Si1-x-yGexCy三元合金的热稳定性.在比较高的退火温度下(950 ℃或以上),Si1-x-yGexCy中

【作者】

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王亚东叶志镇黄靖云赵炳辉亓震

【机构】

：

浙江大学

【出处】

：

真空科学与技术

【发表日期】

：

2001年4期

【关键词】

：

超高真空化学气相沉积锗硅碳三元合金热稳定性退火外延生长 UHVCVD Si1-x-yGexCy Thermal stability Annealing

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采用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)研究了超高真空化学气相沉积外延生长的Si1-x-yGexCy三元合金的热稳定性.在比较高的退火温度下(950 ℃或以上),Si1-x-yGexCy中的替代位的C逐渐形成SiC沉淀,减弱了应变的补偿作用,从而增大了合金中的应变,显示出不同于Si1-xGex的弛豫行为.

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