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为减少IGBT器件的击穿失效等问题,该文提出了一种复合封装IGBT芯片的方法,能够有效防止集电极和发射极过压/过流引起的失效问题;并针对复合封装芯片的可靠性问题,在框架上增加裙边和凹槽,采用抽真空塑封方式,克服了分层现象,通过了热阻检测和可靠性试验,该封装方法具有良好的应用前景和研究价值。
高可靠IGBT器件复合封装方法研究
【摘 要】
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为减少IGBT器件的击穿失效等问题,该文提出了一种复合封装IGBT芯片的方法,能够有效防止集电极和发射极过压/过流引起的失效问题;并针对复合封装芯片的可靠性问题,在框架上增
【机 构】
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佛山市蓝箭电子股份有限公司
【出 处】
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现代信息科技
【发表日期】
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2020年7期
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