四元合金Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y的禁带宽度与组分关系的计

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四元合金Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y的禁带宽度与组分关系的计算与讨论田园,张宝林,金亿鑫,周天明,李树纬,宁永强,蒋红,元光(中国科学院长春物理研究所,长春130021)GalnAsSb是直接带隙、窄禁带的半导体材料,其波长范围为... Calculation and discussion of the relationship between the forbidden band width and the composition of quaternary alloy Ga_xIn_ (1-x) As_ (1-y) Sb_y Tian Yuan, Zhang Baolin, Jin Yixin, Zhou Tianming, Li Shuwei, Ning Yongqiang, Jiang Hong, Yuan Guang (China Changchun Institute of Physics, Changchun 130021, China) GalnAsSb is a direct bandgap, narrow bandgap semiconductor material with a ...
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