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利用光电容法探测了薄膜电致发光(TFEL)器件的深能级并比较器件的多层结构(ITO/SiO_2/ZnS:Mn/SiO_2/SiO/Al)与单层结构的光电容谱,确定了深能级的空间位置。从而初步弄清了该结构的 TFEL 器件的初电子来源于 SiO_2层以及发光层(ZnS:Mn)与其的界面。
薄膜电致发光TFEL中的深能级
【摘 要】
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利用光电容法探测了薄膜电致发光(TFEL)器件的深能级并比较器件的多层结构(ITO/SiO_2/ZnS:Mn/SiO_2/SiO/Al)与单层结构的光电容谱,确定了深能级的空间位置。从而初步弄清了该
【机 构】
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天津理工学院材料物理所,中科院长春物理所,中科院长春物理所300191,300191,130021
【出 处】
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光电子技术
【发表日期】
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1994年2期
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