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利用超声雾化热分解法（USP），通过N-Al共掺的方法，制备出p型ZnO薄膜。利用霍尔测试、X射线衍射（XRD）和扫描电了显微镜分析了不同生长时间ZnO薄膜样品的电学特性、结构和表面形貌的变化。结果表明：其它条件固定时，只有在合适的生长时间条件下．才能得到电学性能较好的N-Al共掺p型ZnO薄膜（电阻率为46．8Ω·cm、迁移率为0．05m^2·V^-1·s^-1、载流子浓度是2.86×10^18cm^-3。