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在格胞理论的基础上计算外磁场作用下液晶中的向列序，考虑分子短程关联后，序参数和内能对磁场强度的依赖关系与计算机模拟结果较好地符合。克服了平均场理论遇到的困难。
外磁场作用下液晶中向列序的计算
【摘 要】
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在格胞理论的基础上计算外磁场作用下液晶中的向列序，考虑分子短程关联后，序参数和内能对磁场强度的依赖关系与计算机模拟结果较好地符合。克服了平均场理论遇到的困难。
【机 构】
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河北工业大学数理系,中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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计算物理
【发表日期】
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1997年4期
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