【摘 要】
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基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种中心频率为140 GHz的三级Cascode结构的功率放大器.该放大器由两个驱动级和一个输出功率级组成,输入、输出和级间匹配均采用微带
【机 构】
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杭州电子科技大学“射频电路与系统”教育部重点实验室,杭州,310018
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基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种中心频率为140 GHz的三级Cascode结构的功率放大器.该放大器由两个驱动级和一个输出功率级组成,输入、输出和级间匹配均采用微带线实现.设计中,选用最佳尺寸的晶体管,通过分析得到最佳偏置电流和最佳偏置电压,从而获得最大的电压摆幅,以提高输出功率.仿真结果表明,在120～160 GHz的工作频带中,该放大器的最高增益为28 dB,饱和输出功率为16.2 dBm,功率附加效率为20％,功耗为220mW.
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