【摘 要】
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应用电子束蒸镀氧化铟锡（ITO）薄膜,在氮气环境中对ITO膜进行不同温度下快速热退火（RTA）处理。采用X射线衍射仪（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）技术、扫描电子显微镜（SEM）、可见光分光谱仪
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应用电子束蒸镀氧化铟锡（ITO）薄膜,在氮气环境中对ITO膜进行不同温度下快速热退火（RTA）处理。采用X射线衍射仪（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）技术、扫描电子显微镜（SEM）、可见光分光谱仪、四探针测试仪测试了快速热退火处理对电子束蒸镀制备ITO薄膜的晶向、微结构、组分、光电特性的影响。分析结果表明,退火温度升高,有利于Sn释放5s轨道上的电子,Sn4+取代In3+形成新的化学键。此外,退火温度升高还提升了Sn、In原子的结合能,改变了Sn、In的氧化程度,增加了ITO薄膜晶体的载流子浓度和迁移率,改善了ITO薄膜晶体晶格畸变、缺陷密度与致密性,促进晶格失配的恢复。在450℃温度下快速热退火可获得光电特性较好的ITO薄膜。
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