【摘 要】
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用直接铺展法在硅基片上制备了FeSt<sub>2</sub>OH LB膜,制做了Al/FeSt<sub>2</sub>OH LB膜/Si（MIS）结构,测定了5层膜的MIS结构的C-V特性曲线。结果表明,LB膜作为MIS结构中的绝
【机 构】
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山东大学胶体与界面化学研究所,山东大学胶体与界面化学研究所
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用直接铺展法在硅基片上制备了FeSt<sub>2</sub>OH LB膜,制做了Al/FeSt<sub>2</sub>OH LB膜/Si（MIS）结构,测定了5层膜的MIS结构的C-V特性曲线。结果表明,LB膜作为MIS结构中的绝缘层具有独特的C-V特性,没有MOS结构C-V曲线中经常出现的“超前效应”和“平台效应”,在漏电流为1μA时,其耐压值为7.8V。XPS证实了膜中Fe的的存在,同时表明第一层膜中的Fe<sup>3+</sup>
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