论文部分内容阅读
近年 来，由于蓝绿发光二极管和激光二极管的发展，宽禁带ＩＩＩ－Ｖ族氮化行和ＺｎＳｅ基ＩＩ－ＶＩ族半导体材料成为举世瞩目的研究热点之一，取得这些进展的重要原因是材料质量的不断改善以及创新性的掺杂方法的引入。氧化锌（ＺｎＯ）是具有特殊性质的宽禁囊直接带隙ＩＩ－ＶＩ族半导体材料，具有在半导体材料中最高的激子束缚能（６０ｍｅＶ），将是另一种重要的商用光子器件材料。本文将描述高质量氧化锌单晶薄膜的等离子分子