PSJ高压器件的优化设计

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huangyulin2007
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基于Semi-SJ(super junction)结构,提出了SJ的比例可以从0~1渐变的PSJ(partial super junction)高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的分析,得到了PSJ高压器件比导通电阻优化设计的理论公式.计算了不同击穿电压的比导通电阻,并与二维器件模拟结果和实验结果相比较.讨论了BAL(bottom assist layer)部分穿通因素η、p型区深度归一化参数r、p型区深宽比A以及PSJ漂移区掺杂浓度是否统一对PSJ高压器件比导通电阻的影响.其理论结果和器件模拟结果相
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