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高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位.本文通过大量实验研究出了一种以CHF3和SF5作为主要进给气体,通过调节CHF3和SF6的流量来相应地控制等离子体中有效的F:C比率从而实现较高的腐蚀选择比或较高的腐蚀速率、两步法腐蚀引线孔的反应离子刻蚀工艺.
高选择性的SiO2／Si干法腐蚀工艺
【摘 要】
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高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位.本文通过大量实验研究出了一种以CHF3和SF5作为主要进给气体,通过调节CHF3和SF6的流量来相
【机 构】
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东北微电子研究所
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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2003年1期
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