两维LED阵列初探

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本文阐述大型两维发光二极管(LED)阵列的设计、制造及其在虚拟显示象源中的应用.利用双台面蚀刻工艺,由铟镓铝磷(InGaAlP)系材料制成LED象素.边长为10μm的正方形LED在峰值发射波长约650nm时,外量子效率为0.5%,亮度达10fL,而阵列功耗仅为2.9mW.LED阵列由240行×144列(~VGA/8)个象素组成,象素节距为20μm,显示速度每秒60帧,按行主导矩阵寻址方式来驱动.象素在恒定电流下以脉宽调制来驱动,灰度达16级.本文对阵列亮度的均匀性作了分析.取样图象、图形及灰度图
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