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包含倒相器的小的瞬时电压箝位保护电路可能在一个HBMESD事件期间产生振荡而且使箝位脱离。用0．25μm工艺生产的一个瞬时电压箝位电路可以使问题得到解决，其方法是在最后一个倒相器处增加一个电阻，这样可以提高电路的ESD防护能力。
用瞬时电压箝位改进CMOS电路ESD防护
【摘 要】
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包含倒相器的小的瞬时电压箝位保护电路可能在一个HBMESD事件期间产生振荡而且使箝位脱离。用0．25μm工艺生产的一个瞬时电压箝位电路可以使问题得到解决，其方法是在最后一个倒
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十七研究所,大连理工大学物理系
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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2007年6期
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