【摘 要】
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用射频磁控溅射及后退火(800 ℃、1 000 ℃和1 200 ℃)方法,在Si(111)衬底上制备出了SiC纳米晶(nc-SiC)薄膜.傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)及扫描电子显微镜(S
【机 构】
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南开大学物理学院,天津理工大学材料物理研究所,天津理工大学材料科学与工程学院,南开大学物理学院
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用射频磁控溅射及后退火(800 ℃、1 000 ℃和1 200 ℃)方法,在Si(111)衬底上制备出了SiC纳米晶(nc-SiC)薄膜.傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)形貌像等研究表明,制备出的nc-SiC薄膜具有立方结构;样品经800 ℃、1 000 ℃退火后,表面的纳米晶粒分别为10 nm和20 nm左右;而1 200 ℃退火后,样品晶化完全.光致发光(PL)研究表明,nc-SiC薄膜室温条件下发射蓝光,发光峰峰位随退火温度的降低发生蓝移且发光峰强度变
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