55纳米CMOS图像传感器栅极多晶硅工艺研究

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随着市场对于摄像设备的更多和更高性能的需求,基于互补金属氧化物晶体管的图像传感器CIS(CMOS image sensor)由于其优异的性能正逐步取代原有的电荷耦合器件(CCD)。华力55CIS平台将55LP(55纳米低功耗)工艺的逻辑区和客户的像素区结合起来,通过引入ONO(氧化硅/氮化硅/氧化硅)的硬掩模工艺,实现对像素区对高能量注入的阻挡和优化的多晶硅形貌。在后续的工艺中,多晶硅的再氧化,逻辑区输入/输出(IO)器件轻掺杂漏注入和硬掩膜的去除顺序会引起对核心器件区域,输入/输出器件(IO33)区域和
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International Rectifier,(简称IR)近日推出全新D类音频芯片组,内含IRS20965数字音频驱动器IC,可提供受保护的脉冲宽度调制(PWM)开关和完整的音频MOSFET,旨在为高性能D类音频放大器产
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<正> 至1999年4月10日,世界贸易组织共有成员134个。其最高权力机构是部长会议(包括所有成员的代表,至少每两年召开一次会议)。部长会议应当履行世界贸易组织的职能,并为此而
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