【摘 要】
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本文介绍了一种利用新的微型混合工艺的独特能力设计的一倍频程带宽功率放大器。该工艺对倒装片安装FET(场效应晶体管)起着重要作用。FET直接放置到制作在高热传导率的氧化铍
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本文介绍了一种利用新的微型混合工艺的独特能力设计的一倍频程带宽功率放大器。该工艺对倒装片安装FET(场效应晶体管)起着重要作用。FET直接放置到制作在高热传导率的氧化铍(BeO)薄膜匹配电路上。这种方法的一个优点是:新的布局技术容易实现象本设计那样的源地——栅地级联构造。文章预测了本放大器在5～10千兆赫范围内可获得大于7分贝的增益和25％的功率附加效率;包括偏置电路在内,尺寸为4.4×6.4毫米。
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