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报道了利用B^＋注入实现AlGaN／GaN HEMT的有源层隔离。通过优化离子注入的能量和剂量，获得了10^11Ω／□的隔离电阻，隔离的高阻特性在700℃下保持稳定。分别制作了用B^＋注入和台面实现隔离的AlGaN／GaNHEMT，测试表明B^＋注入隔离的器件击穿电压大于70V，相比于台面隔离器件40V的击穿电压有很大提高；B^＋注入隔离器件电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax分别达到15GHz和38GHz，相比台面隔离器件的12GHz和31GHz有一定程度提高。