【摘 要】
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本文首先从发射区Gummel数Ge出发分析提高器件电流增益β_0以磷分布的要求,然后通过散规律研究提高磷分布表面浓度N_S和梯度?K的工艺控制,最后讨论了硼磷的匹配问题.
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本文首先从发射区Gummel数Ge出发分析提高器件电流增益β_0以磷分布的要求,然后通过散规律研究提高磷分布表面浓度N_S和梯度?K的工艺控制,最后讨论了硼磷的匹配问题.
In this paper, we first analyze the requirement of increasing the current gain β_0 of the device from the Gummel number Ge in the emitter region, and then improve the process control of the surface concentration N_S and gradient K of the phosphorus distribution by the law of dispersion. Finally, the matching problem of boron and phosphorus is discussed.
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