【摘 要】
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利用射频磁控溅射法在7059玻璃上生长不同厚度的AZO薄膜,并在不同厚度的薄膜上再利用射频磁控溅射沉积一层55nm的本征ZnO薄膜。利用退火CdTe电池的退火条件退火各种厚度的薄
【机 构】
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中国科学院电工研究所太阳能热利用和光伏系统重点实验室,中国科学院大学,遵义师范学院物理与机电工程学院
【基金项目】
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“863”项目(2015AA050609);国家自然科学基金(61274060);中国科学院交叉创新团队资助项目
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利用射频磁控溅射法在7059玻璃上生长不同厚度的AZO薄膜,并在不同厚度的薄膜上再利用射频磁控溅射沉积一层55nm的本征ZnO薄膜。利用退火CdTe电池的退火条件退火各种厚度的薄膜时,所有AZO/ZnO结构的薄膜电阻率均只有微小的变化,表现出比单层结构的AZO薄膜更强的电学稳定性。在干空气气氛中400~550℃退火时,710nmAZO/50nmZnO结构的薄膜仍然具有更好的稳定性,退火后电阻率仍然保持得更好。结果表明在制备CdTe电池时采用AZO/ZnO结构方式的透明电极比AZO更有利于电池的光电性能。
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