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采用激光脉冲沉积法（PLD）在AlGaN／GaN半导体异质结构衬底上沉积Al2O3栅介质层，并对该异质结构的电学性能进行研究。结果表明，Al2O3栅介质层改善了异质结构的界面质量，增强了器件结构的抗击穿电场强度。研究了沉积氧分压对异质结构性能的影响，电流-电压（I-V）测试结果表明，适当氧分压（0．1Pa）有利于降低栅漏电流。Hall测量和电容-电压（C-V）模拟结果表明，不同的氧分压会改变Al2O3／ALGaN界面处的正电荷密度，从而改变半导体内的二维电子气（2DEG）密度。