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本文通过采用热等静压（ＨＩＰ）这一先进的烧结工艺，研究了Ａｌ２Ｏ３添加量对ＳｉＣ陶瓷之显微结构与力学性能的影响，并成功地制备出Ｓｉ３Ｎ４粒子以及ＳｉＣ晶须补强的ＳｉＣ基复合材料．结果表明：Ａｌ２Ｏ３是ＨＩＰ烧结ＳｉＣ陶瓷及其复合材料的有效添加剂．当添加３ｗｔ％Ａｌ２Ｏ３时，采用ＨＩＰ烧结工艺在１８５０℃温度和２００ＭＰａ压力下烧结１ｈ就可获得密度分别高达９７．３％、９９．４％和９７．０％的ＳｉＣ单相陶瓷、ＳｉＣ－２５ｖｏｌ％Ｓｉ３Ｎ４复相陶瓷以及５ｖｏｌ％ＳｉＣ晶须补强的ＳｉＣ基复合材料．对于ＳｉＣ－２５ｖｏｌ％Ｓｉ３Ｎ４复相陶瓷，其室温强度高达６２５ＭＰａ；对于５ｖｏｌ％ＳｉＣ晶须补强的ＳｉＣ基复合材料，其断裂韧性达到６．７ＭＰａ·ｍ（１／２）．