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利用第一性原理密度泛函理论,计算了纯SnO2,In和氧空位单掺及共掺后SnO2体系的电子结构和光学性质.计算结果表明：在电子结构方面,共掺体系的禁带宽度值最小,表明电子从价带激发到导带所需的能量最小;在光学性质方面,掺杂体系都发生了红移,其中In和氧空位共掺体系的红移程度最大.
In掺杂含氧空位的SnO2的第一性原理研究
【摘 要】
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利用第一性原理密度泛函理论,计算了纯SnO2,In和氧空位单掺及共掺后SnO2体系的电子结构和光学性质.计算结果表明：在电子结构方面,共掺体系的禁带宽度值最小,表明电子从价带激
【机 构】
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伊犁师范学院物理科学与技术分院、新疆凝聚态相变与微结构实验室,南京大学物理学院、国家固体微结构重点实验室
【出 处】
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伊犁师范学院学报：自然科学版
【发表日期】
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2018年2期
【基金项目】
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伊犁师范学院研究生课题（YLSF2017035）
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