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采用密度泛函离散变分方法计算了Pb掺杂Bi位对EBi1．68Ca2O4]RS[CoO2]1．6。的电子结构和化学键的影响，并讨论了它们与热电性能之间的关系。计算结果表明，掺Pb体系的电子结构表现出半导体特征，与未掺杂的相比，能隙变窄；掺Pb后，在-4．5～1．8eV的能量范围内，高能态Co3d与低能态O2p存在着杂化作用，Pb6p在费米能级附近的贡献增强。通过计算键级和分子波函数轨道可知，体系的计算键级在曲面和C轴方向表现出各向异性特征，掺Pb后，Co-O、Pb（Bi）-O均比未掺杂体系减弱，而Bi（Pb