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针对目前碳纳米管场发射电子源存在的问题，以提高碳纳米管场发射阵列的大电流发射能力、电流均匀性和稳定性以及电流调制灵敏度为目标，基于绝缘硅（ SOI）技术，提出并制备出一种独立场效应管控制的碳纳米管场发射阵列三极结构，并通过理论分析和实验验证等手段，发现其具有良好的栅极调制效果、优良的发射均匀性和稳定性。