【摘 要】
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利用微波相敏技术,获得了用硫作不同时间表面处理AgBrI晶体自由光电子和束缚光电子时间衰减信号,分析了光电子衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度及束缚电子
【机 构】
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嘉应学院物理系,河北大学物理科学与技术学院 梅州514015河北大学物理科学与技术学院,保定071002,保定071002
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利用微波相敏技术,获得了用硫作不同时间表面处理AgBrI晶体自由光电子和束缚光电子时间衰减信号,分析了光电子衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度及束缚电子转移时间与表面处理时间的关系,获得了最佳的表面处理时间为45分钟,有效陷阱深度为0.255～0.265eV。
The phase decay time, electron trap effect, photoelectron lifetime, effective trap depth, bound electron transfer time and surface treatment of free photoelectrons and bound photoelectrons of AgBrI crystals were obtained by microwave phase-sensitive technique. The relationship between time, get the best surface treatment time of 45 minutes, the effective trap depth of 0.255 ~ 0.265eV.
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