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<正> 本发明提供一种确定HgCdTe衬底中金属空位浓度的方法。该方法的实施步骤为:在HgCdTe衬底上压盖一层富碲的CdTe,然后在足以支持富碲CdTe层与HgCdTe衬底之间互相扩散的温度下对该衬底进行退火。此外,本发明还提供了一种制作本征掺杂p型
采用CdTe压盖层的本征p型HgCdTe
【摘 要】
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<正> 本发明提供一种确定HgCdTe衬底中金属空位浓度的方法。该方法的实施步骤为:在HgCdTe衬底上压盖一层富碲的CdTe,然后在足以支持富碲CdTe层与HgCdTe衬底之间互相扩散的温
【出 处】
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红外
【发表日期】
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2001年6期
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