【摘 要】
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采用第一性原理赝势平面波方法,基于虚拟晶体势函数近似(VCA),研究了Ga微合金化(x <1. 0%,原子百分比,下同)时理想与缺陷B2-NiAl晶体的弹性常数C44,Cauchy压力参数(C12-C44)
【机 构】
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空军航空维修技术学院航空机电设备维修学院,湖南省飞机维修工程技术研究中心飞机复合材料维修研究室
【基金项目】
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湖南省自然科学基金科教联合基金(项目编号:2017JJ5057)
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采用第一性原理赝势平面波方法,基于虚拟晶体势函数近似(VCA),研究了Ga微合金化(x <1. 0%,原子百分比,下同)时理想与缺陷B2-NiAl晶体的弹性常数C44,Cauchy压力参数(C12-C44)、弹性模量E、剪切模量G及其与体模量B0的比值G/B0随Ga合金化浓度x的影响。数据分析显示:对于无缺陷NiAl晶体,无论Ga原子取代Ni原子位还是取代Al原子位,都不利于NiAl晶体材料室温延性的改善;对于Ni空位缺陷,无论Ga原子取代NiAl晶体中的那种亚点阵位置,都能改善其合金的延性;而对于
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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